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深圳市益辉科技有限公司
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CSD87350Q5D, 双 N沟道 MOSFET 模块, 120 A, Vds=30 V, 8针 SON-EP封装
发布时间： 2015/8/31 11:37:11 | 441 次阅读
CSD87350Q5D, 双 N沟道 MOSFET 模块, 120 A, Vds=30 V, 8针 SON-EP封装 有需要联系：0755-83013375 QQ:2851397789 乐雯！
- 2851RS 库存编号827-4943
- 制造商
- Texas Instrument
- s
- 制造商零件编号CSD87350Q5D
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产品详细信息
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
产品技术参数
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| 典型关断延迟时间 | 13 ns，33 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns，8 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC@ 4.5 V, 8.4 nC@ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1360 pF@ 15 V，2950 pF@ 15 V | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 封装类型 | SON-EP | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| 功率耗散 | 12 W | |
| 栅源电压 | 8 V | |
| 漏源电压 | 30 V | |
| 连续漏极电流 | 120 A | |
| 工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 1.5mm |