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CSD87350Q5D, 双 N沟道 MOSFET 模块, 120 A, Vds=30 V, 8针 SON-EP封装

发布时间: 2015/8/31 11:37:11 | 94 次阅读

  • 2851RS 库存编号827-4943
  • 制造商

  • Texas Instrument

  • s

  • 制造商零件编号CSD87350Q5D
Texas Instruments
CSD87350Q5D, 双 N沟道 MOSFET 模块, 120 A, Vds=30 V, 8针 SON-EP封装
产品详细信息

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

产品技术参数
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典型关断延迟时间 13 ns,33 ns
典型接通延迟时间 7 ns,8 ns
典型栅极电荷@Vgs 20 nC@ 4.5 V, 8.4 nC@ 4.5 V
典型输入电容值@Vds 1360 pF@ 15 V,2950 pF@ 15 V
安装类型 表面贴装
宽度 5.1mm
封装类型 SON-EP
尺寸 6.1 x 5.1 x 1.5mm
引脚数目 8
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 12 W
最大栅源电压 8 V
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 120 A
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 2
通道模式 增强
通道类型 N
配置
长度 6.1mm
高度 1.5mm

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